BUL118D

更新时间： 2024-11-26 03:23:11

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体开关晶体管功率双极晶体管高压局域网
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描述
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

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BUL118D 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SFM	包装说明：	TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小直流电流增益 (hFE)：	8
JEDEC-95代码：	TO-220	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	60 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUL118D 数据手册

BUL118D

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING

NPN POWER TRANSISTOR

■

NPN TRANSISTOR

HIGH VOLTAGE CAPABILITY

LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS

MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR

RELIABLE OPERATION

■

VERY HIGH SWITCHING SPEED

APPLICATIONS:

■

ELECTRONIC BALLASTS FOR

FLUORESCENT LIGHTING

DESCRIPTION

TO-220

The device is manufactured using high voltage

Multi Epitaxial Planar technology for high

switching speeds and medium voltage capability.

It uses a Cellular Emitter structure with planar

edge termination to enhance switching speeds

while maintaining the wide RBSOA.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

The device is designed for use in lighting

applications and low cost switch-mode power

supplies.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Emitter Voltage (V_BE= 0)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

Value

Unit

700

400

I_CM

Collector Peak Current (t_p< 5 ms)

Base Current

I_B

1.5

I_BM

Base Peak Current (t_p< 5 ms)

P_tot

Total Dissipation at T_c= 25 C

^oC

T_stg

T_j

Storage Temperature

-65 to 150

150

Max. Operating Junction Temperature

1/7

December 2002

12 3 4 5 6 7

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