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BUL118-B

更新时间： 2024-11-26 19:48:11

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	74K
描述
3A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220, TO-220, 3 PIN

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BUL118-B 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	18
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUL118-B 数据手册

BUL118

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING

NPN POWER TRANSISTOR

■

NPN TRANSISTOR

HIGH VOLTAGE CAPABILITY

LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS

MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR

RELIABLEOPERATION

■

VERY HIGH SWITCHING SPEED

APPLICATIONS:

■

ELECTRONIC BALLASTSFOR

FLUORESCENT LIGHTING

DESCRIPTION

TO-220

The device is manufactured using high voltage

Multi Epitaxial Planar technology for high

switching speeds and medium voltage capability.

It uses a Cellular Emitter structure with planar

edge termination to enhance switching speeds

while maintaining the wide RBSOA.

The device is designed for use in lighting

applications and low cost switch-mode power

supplies.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CES

Parameter

Value

700

Unit

Collector-Emitter Voltage (V_BE= 0)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

V_CEO

400

V_EBO

Emitter-Base Voltage

BV_EBO

(I_C= 0, I_B<1.5A, t_p<10µs, Tj < 150^oC)

I_C

I_CM

I_B

Collector Current

Collector Peak Current (t_p< 5 ms)

Base Current

1.5

I_BM

P_tot

T_stg

Base Peak Current (t_p< 5 ms)

Total Dissipation at T_c= 25 C

^oC

Storage Temperature

-65 to 150

1/7

June 2001

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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