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BUK9520-55A,127

更新时间： 2024-10-01 20:04:59

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	160K
描述
N-channel TrenchMOS logic level FET TO-220 3-Pin

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BUK9520-55A,127 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220	包装说明：	PLASTIC, SC-46, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.18	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	115 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	54 A	最大漏极电流 (ID)：	54 A
最大漏源导通电阻：	0.021 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	118 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	217 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK9520-55A,127 数据手册

BUK9520-55A

N-channel TrenchMOS logic level FET

Rev. 02 — 8 June 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

 Low conduction losses due to low

 Suitable for logic level gate drive

on-state resistance

sources

 Q101 compliant

 Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

1.3 Applications

 12 V and 24 V loads

 Motors, lamps and solenoids

 Automotive and general purpose

power switching

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source

voltage

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

I_D

drain current

V_GS= 5 V; T_mb= 25 °C;

see Figure 1; see Figure 3

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

118

Static characteristics

R_DSondrain-source

V_GS= 4.5 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C

mΩ

on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C

V_GS= 5 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C;

see Figure 12; see Figure 13

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)S

non-repetitive

drain-source

I_D= 48 A; V_sup≤ 55 V;

R_GS= 50 Ω; V_GS= 5 V;

115 mJ

avalanche energy T_j(init)= 25 °C; unclamped

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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BUK9524-55	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Logic level FET
BUK9524-55,127	NXP	获取价格	45A, 55V, 0.024ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
BUK9524-55127	NXP	获取价格	TRANSISTOR 45 A, 55 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp
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