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BUK9520-100B

更新时间： 2024-10-01 06:44:39

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恩智浦 - NXP		/
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12页	198K
描述
N-channel TrenchMOS logic level FET

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BUK9520-100B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.7
雪崩能效等级（Eas）：	222 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	63 A	最大漏源导通电阻：	0.0223 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	253 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	PURE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUK9520-100B 数据手册

BUK9520-100B

N-channel TrenchMOS logic level FET

Rev. 01 — 6 May 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

AEC-Q101 compliant

Suitable for logic level gate drive

sources

Low conduction losses due to low

on-state resistance

Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

1.3 Applications

12 V, 24 V and 42 V loads

Motors, lamps and solenoids

Automotive and general purpose

power switching

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

Min

Typ

Max Unit

V_DS

I_D

100

drain current

V_GS= 5 V; T_mb= 25 °C;

see Figure 1; see Figure 3

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

203

222

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive

drain-source

I_D= 63 A; V_sup≤ 100 V;

R_GS= 50 Ω; V_GS= 5 V;

T_j(init)= 25 °C; unclamped

avalanche energy

Static characteristics

R_DSon

drain-source

on-state resistance

V_GS= 4.5 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C; see Figure 11;

see Figure 12

16.4 22.3 mΩ

V_GS= 5 V; I_D= 25 A;

16.2 20

mΩ

T_j= 25 °C; see Figure 12;

see Figure 11

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK9520-100B,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-220 3-Pin
BUK9520-55	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Logic level FET
BUK9520-55A	NXP	获取价格	TrenchMOS logic level FET
BUK9520-55A,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET TO-220 3-Pin
BUK9523-75A	NXP	获取价格	TrenchMOS⑩ logic level FET
BUK9524-55	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Logic level FET
BUK9524-55,127	NXP	获取价格	45A, 55V, 0.024ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
BUK9524-55127	NXP	获取价格	TRANSISTOR 45 A, 55 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp
BUK9524-55A	NXP	获取价格	TrenchMOS logic level FET
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