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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.37 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 8.7 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (ID)： | 26 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.029 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MO-235 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 102 A |
| 参考标准： | AEC-Q101; IEC-60134 | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK7Y29-40EX | NXP |
获取价格 |
BUK7Y29-40E - N-channel 40 V, 29 mΩ standard |
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| BUK7Y2R0-40H | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 40 V, 2.0 mΩ standard level MOSFET |
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| BUK7Y2R5-40H | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 40 V, 2.5 mΩ standard level MOSFET |
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| BUK7Y35-55B | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET |
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| BUK7Y38-100E | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 100 V, 38 mΩ standard level MOSFET |
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| BUK7Y38-100E | NXP |
获取价格 |
N-channel 100 V, 38 mΩ standard level MOSFET |
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| BUK7Y38-100EX | NXP |
获取价格 |
BUK7Y38-100E - N-channel 100 V, 38 mΩ standar |
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| BUK7Y3R0-40H | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 40 V, 3.0 mΩ standard level MOSFET |
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| BUK7Y3R1-80M | NEXPERIA |
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N-channel 80 V, 3.1 mOhm, Standard level MOSFET in LFPAK56Qualification |
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| BUK7Y3R5-40E | NXP |
获取价格 |
POWER, FET |
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