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BUK7Y102-100B

更新时间： 2024-09-25 11:13:07

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安世 - NEXPERIA		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	933K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FETProduction

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BUK7Y102-100B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	35 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	15 A	最大漏源导通电阻：	0.102 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MO-235
JESD-30 代码：	R-PSSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK7Y102-100B 数据手册

BUK7Y102-100B

N-channel TrenchMOS standard level FET

Rev. 03 — 7 April 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using Nexperia High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology.

This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use

in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

 Q101 compliant

 Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

 Suitable for standard level gate drive

sources

1.3 Applications

 12 V, 24 V and 42 V loads

 Automotive systems

 DC-to-DC converters

 General purpose power switching

 Solenoid drivers

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source

voltage

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

100

I_D

drain current

V_GS= 10 V; T_mb= 25 °C;

see Figure 1; see Figure 4

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

Static characteristics

R_DSondrain-source

V_GS= 10 V; I_D= 5 A;

T_j= 25 °C; see Figure 12;

see Figure 13

102 mΩ

on-state

resistance

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)S

non-repetitive

drain-source

I_D= 15 A; V_sup≤ 100 V;

R_GS= 50 Ω; V_GS= 10 V;

avalanche energy T_j(init)= 25 °C; unclamped

Dynamic characteristics

Q_GDgate-drain charge I_D= 5 A; V_DS= 80 V;

V_GS= 10 V; see Figure 16

4.7

12 3 4 5 6 7...14

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BUK7Y12-100E	NEXPERIA	获取价格	N-channel 100 V, 12 mΩ standard level MOSFET
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