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BUK7635-55A,118

更新时间： 2024-11-26 20:01:51

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	190K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin

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BUK7635-55A,118 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	PLASTIC, D2PAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.16	雪崩能效等级（Eas）：	49 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	35 A
最大漏极电流 (ID)：	35 A	最大漏源导通电阻：	0.035 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	85 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	139 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUK7635-55A,118 数据手册

BUK7635-55A

D2P

N-channel TrenchMOS standard level FET

Rev. 02 — 27 January 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

AEC Q101 compliant

Suitable for standard level gate drive

sources

Low conduction losses due to low

on-state resistance

Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

1.3 Applications

12 V and 24 V loads

Motors, lamps and solenoids

Automotive and general purpose

power switching

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source voltage T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

I_D

drain current

V_GS= 10 V; T_mb= 25 °C;

see Figure 1; see Figure 3

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state V_GS= 10 V; I_D= 20 A; T_j= 25 °C;

mΩ

resistance

see Figure 11; see Figure 12

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)S

non-repetitive

drain-source

avalanche energy

I_D= 14 A; V_sup≤ 55 V;

R_GS= 50 Ω; V_GS= 10 V;

T_j(init)= 25 °C; unclamped

12 3 4 5 6 7...13

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BUK763R1-40B,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin
BUK763R1-60E	NEXPERIA	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FETProduction
BUK763R6-40C	NXP	获取价格	100A, 40V, 0.0036ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3
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