Datasheet > BUK7620-100A,118

BUK7620-100A,118

更新时间： 2024-11-26 21:17:27

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	210K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BUK7620-100A,118 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	PLASTIC, D2PAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.16	雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	63 A
最大漏极电流 (ID)：	63 A	最大漏源导通电阻：	0.02 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	253 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUK7620-100A,118 数据手册

BUK7620-100A

D2P

N-channel TrenchMOS standard level FET

Rev. 2 — 2 February 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

AEC Q101 compliant

Suitable for standard level gate drive

sources

Low conduction losses due to low

on-state resistance

Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

1.3 Applications

12 V, 24 V and 42 V loads

Motors, lamps and solenoids

Automotive and general purpose

power switching

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source

voltage

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

100

I_D

drain current

V_GS= 10 V; T_mb= 25 °C;

see Figure 1; see Figure 3

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

200

Static characteristics

R_DSondrain-source

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

T_j= 175 °C; see Figure 12;

see Figure 13

mΩ

on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C; see Figure 12;

see Figure 13

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)S

non-repetitive

drain-source

I_D= 60 A; V_sup≤ 100 V;

R_GS= 50 Ω; V_GS= 10 V;

400 mJ

avalanche energy T_j(init)= 25 °C; unclamped

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

BUK7620-100A,118 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BUK7620-100A	NXP	类似代替	TrenchMOS standard level FET
BUK7620-100A/T3	NXP	功能相似	TRANSISTOR 63 A, 100 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gene

与BUK7620-100A,118相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK7620-100A/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 63 A, 100 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gene
BUK7620-55	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7620-55A	NXP	获取价格	N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using Trench
BUK7620-55A	PHILIPS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
BUK7620-55A,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin
BUK7620-55T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 52A I(D) \| SOT-404
BUK7621-30	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7623-75A	NXP	获取价格	TrenchMOS standard level FET
BUK7623-75A,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin
BUK7624-55	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Standard level FET

与BUK7620-100A,118相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

45
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

34
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

62
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

59

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BUK7620-100A,118

BUK7620-100A,118 技术参数

BUK7620-100A,118 数据手册

BUK7620-100A,118 替代型号

与BUK7620-100A,118相关器件

与BUK7620-100A,118相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BUK7620-100A,118

BUK7620-100A,118 技术参数

BUK7620-100A,118 数据手册

BUK7620-100A,118 替代型号

与BUK7620-100A,118相关器件

与BUK7620-100A,118相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？