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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 45 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 16 A | 最大漏源导通电阻： | 0.155 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 64 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK564-200A | NXP |
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PowerMOS transistor Logic level FET |
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| BUK564-60H | NXP |
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PowerMOS transistor Logic level FET |
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| BUK565-100A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor Logic level FET |
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| BUK565-100A-T | NXP |
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TRANSISTOR 25 A, 100 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK565-200A | NXP |
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PowerMOS transistor Logic level FET |
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| BUK565-200A,118 | NXP |
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14A, 200V, 0.23ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| BUK565-200A118 | NXP |
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TRANSISTOR 14 A, 200 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK565-200A-T | NXP |
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TRANSISTOR 14 A, 200 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK565-60A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor Logic level FET |
|
| BUK565-60A-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 39 A, 60 V, 0.042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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