5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 45 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 21 A | 最大漏源导通电阻： | 0.085 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 160 pF |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 75 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 84 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 195 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 150 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK563-60A-T | NXP |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| BUK563-60AT/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 21 A, 60 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BUK563-80B | NXP |
获取价格 |
PowerMOS Transistor Logic level FET |
|
| BUK564-200A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor Logic level FET |
|
| BUK564-60H | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor Logic level FET |
|
| BUK565-100A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor Logic level FET |
|
| BUK565-100A-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 25 A, 100 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BUK565-200A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor Logic level FET |
|
| BUK565-200A,118 | NXP |
获取价格 |
14A, 200V, 0.23ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| BUK565-200A118 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 14 A, 200 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
