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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.44 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 150 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 60 A | 最大漏源导通电阻： | 0.022 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 400 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 700 ns | 最大开启时间（吨）： | 300 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| RFP50N05L | FAIRCHILD |
功能相似  |
50A, 50V, 0.022 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
|
| STP55NE06L | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK562-100A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor Logic level FET |
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| BUK562-100A-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 10 A, 100 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK562-60A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor Logic level FET |
|
| BUK562-60A-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 14 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BUK563-100A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor Logic level FET |
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| BUK563-100A,118 | NXP |
获取价格 |
BUK563-100A |
|
| BUK563-100A118 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 13 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BUK563-100A-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 13 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK563-48C | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor Voltage clamped logic level FET |
|
| BUK563-60A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor Logic level FET |
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