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BUJD203A

更新时间： 2024-09-25 17:01:39

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瑞能 - WEEN		/
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13页	1058K
描述
High voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor with integrated anti-parallel E-C diode in a SOT78 (TO220AB) plastic package.

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BUJD203A 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SC-46, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	425 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)：	11	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	IEC-60134
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUJD203A 数据手册

BUJD203A

NPN power transistor with integrated diode

9 October 2018

Product data sheet

1. General description

High voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor with integrated anti-

parallel E-C diode in a SOT78 (TO220AB) plastic package.

2. Features and benefits

•

Fast switching

•

High voltage capability

Integrated anti-parallel E-C diode

Very low switching and conduction losses

3. Applications

•

DC-to-DC converters

Electronic lighting ballasts

Inverters

Motor control systems

4. Pinning information

Table 1. Pinning information

Symbol Description

Simplified outline

Graphic symbol

base

collector

emitter

mounting base; connected to

collector

sym131

2 3

TO-220AB (SOT78)

12 3 4 5 6 7...13

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