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| 瑞能 - WEEN |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 9页 | 288K |  |
| 描述 | ||
| High voltage, high speed planar passivated NPN power switching transistor in a SOT186A (TO220F) "full pack"plastic package intended for use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor control systems, etc. | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.69 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 400 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 12 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | IEC-134 |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUJ103AX,127 | NXP |
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BUJ103AX |
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| BUJ105A | NXP |
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Silicon Diffused Power Transistor |
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| BUJ105A | WEEN |
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High voltage, high speed planar passivated NPN power switching transistor in a SOT78 (TO22 |
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| BUJ105A,127 | NXP |
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BUJ105A |
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| BUJ105AB | NXP |
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Silicon Diffused Power Transistor |
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| BUJ105AB | WEEN |
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High voltage, high speed planar passivated NPN power switching transistor in a SOT404 (D2P |
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| BUJ105AD | NXP |
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Silicon diffused power transistor |
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| BUJ105AD | WEEN |
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High voltage, high speed planar passivated NPN power switching transistor in a SOT428 (DPA |
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| BUJ105AD,118 | NXP |
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BUJ105AD |
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| BUJ105AX | NXP |
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Silicon Diffused Power Transistor |
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