5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > BUJ101A
BUJ101A PDF预览

BUJ101A

更新时间： 2024-11-08 22:17:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 22K
描述
Silicon Diffused Power Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

BUJ101A 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：42 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BUJ101A 数据手册

 浏览型号BUJ101A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BUJ101A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BUJ101A的Datasheet PDF文件第4页 
Philips Semiconductors  
Objective specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
BUJ101A  
GENERAL DESCRIPTION  
High-voltage, high-speed planar-passivated npn power switching transistor in TO220AB envelope intended for use  
in high frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor control  
systems, etc.  
QUICK REFERENCE DATA  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
VCESM  
VCBO  
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0 V  
-
-
700  
700  
400  
0.5  
1
V
V
Collector-Base voltage (open emitter)  
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
-
V
-
A
A
ICM  
Collector current peak value  
Total power dissipation  
Collector-emitter saturation voltage  
Fall time  
-
Ptot  
VCEsat  
tf  
Tmb ≤ 25 ˚C  
-
42  
W
V
IC = 0.2 A;IB = 20 mA  
Ic=0.2A,IB1=20mA  
-
1.0  
100  
40  
ns  
PINNING - TO220AB  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
c
tab  
base  
2
collector  
emitter  
b
3
tab collector  
e
1 2 3  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. MAX. UNIT  
VCESM  
VCEO  
VCBO  
IC  
Collector to emitter voltage  
VBE = 0 V  
-
700  
400  
700  
0.5  
1
0.2  
0.3  
42  
150  
150  
V
V
Collector to emitter voltage (open base)  
Collector to base voltage (open emitter)  
Collector current (DC)  
-
-
V
-
A
ICM  
Collector current peak value  
Base current (DC)  
-
A
IB  
IBM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
-
A
Base current peak value  
Total power dissipation  
-
-
A
Tmb ≤ 25 ˚C  
W
˚C  
˚C  
Storage temperature  
-65  
-
Junction temperature  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
Rth j-mb  
Rth j-a  
Junction to mounting base  
Junction to ambient  
-
3.0  
-
K/W  
K/W  
in free air  
100  
August 1998  
1
Rev 1.000  
1234

中文翻译

下载PDF

BUJ101A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SC2552 TOSHIBA

功能相似

 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT Process)

与BUJ101A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUJ101AU NXP

获取价格

 		Silicon Diffused Power Transistor
BUJ101AX NXP

获取价格

 		Silicon Diffused Power Transistor
BUJ103 NXP

获取价格

 		Silicon Diffused Power Transistor
BUJ103A NXP

获取价格

 		Silicon Diffused Power Transistor
BUJ103A WEEN

获取价格

 		High-voltage, high-speed planar-passivated NPN power switching transistor in TO220AB envel
BUJ103AD NXP

获取价格

 		Silicon diffused power transistor
BUJ103AD WEEN

获取价格

 		High voltage, high speed planar passivated NPN power switching transistor in a SOT428 (DPA
BUJ103AD,118 NXP

获取价格

 		BUJ103AD
BUJ103AU NXP

获取价格

 		Silicon Diffused Power Transistor
BUJ103AX NXP

获取价格

 		Silicon Diffused Power Transistor

与BUJ101A相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证