BUJ100LR

更新时间： 2024-11-09 06:44:39

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
11页	148K
描述
Silicon diffused power transistor

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BUJ100LR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.65
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	2.1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUJ100LR 数据手册

BUJ100LR

Silicon diffused power transistor

Rev. 01 — 12 August 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

High voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor in a SOT54

(TO-92) 3 leads plastic package.

1.2 Features and benefits

Fast switching

High voltage capability of 700 V

1.3 Applications

Compact fluorescent lamps (CFL)

Inverters

Electronic lighting ballasts

Off-line self-oscillating power supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ

Max Unit

I_C

collector current

DC; see Figure 1

T_lead≤ 25 °C; see Figure 2

P_tot

total power

dissipation

2.1

V_CESM

collector-emitter

peak voltage

V_BE= 0 V

700

Static characteristics

h_FEDC current gain

V_CE= 5 V; I_C= 0.8 A;

7.5

_lead= 25 °C;

see Figure 8 and 9

12 3 4 5 6 7...11

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BUJ100LR 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PHE13003A	NXP	完全替代	Silicon diffused power transistor
BUJ100AT	NXP	类似代替	Silicon Diffused Power Transistor

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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