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BUJ100B

更新时间： 2024-11-09 03:23:11
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
8页 65K
描述
Silicon Diffused Power Transistor

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BUJ100B 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：350 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：9JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BUJ100B 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
BUJ100B  
GENERAL DESCRIPTION  
High-voltage, high-speed planar-passivated npn power switching transistor in the SOT54 (TO92) envelope intended  
for use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters and inverters, etc.  
QUICK REFERENCE DATA  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
VCESM  
VCBO  
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0 V  
-
700  
700  
350  
1.0  
2.0  
2.0  
1.0  
19  
V
V
V
A
A
W
V
Collector-Base voltage (open emitter)  
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
-
-
-
ICM  
Collector current peak value  
Total power dissipation  
Collector-emitter saturation voltage  
-
Ptot  
Tlead ≤ 25 ˚C  
-
VCEsat  
hFE  
IC = 1.0 A;IB = 0.2 A  
IC = 1.0 A; VCE = 5 V  
IC = 1.0 A; IB1= 0.2 A  
0.27  
12  
56  
tfi  
Fall time (Inductive)  
76  
ns  
PINNING - SOT54 (TO92)  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
c
Base  
2
Collector  
Emitter  
b
3
e
3
2 1  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. MAX. UNIT  
VCESM  
VCEO  
VCBO  
IC  
Collector to emitter voltage  
VBE = 0 V  
-
700  
350  
700  
1.0  
2.0  
0.5  
1.0  
2.0  
150  
150  
V
V
Collector to emitter voltage (open base)  
Collector to base voltage (open emitter)  
Collector current (DC)  
-
-
V
-
A
ICM  
Collector current peak value  
Base current (DC)  
-
A
IB  
IBM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
-
A
Base current peak value  
Total power dissipation  
-
-
A
Tmb ≤ 25 ˚C  
W
˚C  
˚C  
Storage temperature  
Junction temperature  
-65  
-
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
Rth j-lead  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to lead  
Thermal resistance junction to ambient  
-
60  
-
K/W  
K/W  
pcb mounted; lead  
length = 4 mm  
150  
May 2001  
1
Rev 1.000  
12345678

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与BUJ100B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUJ100B,116 NXP

获取价格

 		BUJ100B
BUJ100BT/R NXP

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 		TRANSISTOR 1 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43, 3 PIN, BIP Genera
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