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BUJ100AT

更新时间： 2024-01-05 21:54:04
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 72K
描述
Silicon Diffused Power Transistor

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BUJ100AT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-92包装说明：PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.65
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：2.1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BUJ100AT 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
BUJ100AT  
GENERAL DESCRIPTION  
High-voltage, high-speed planar-passivated npn power switching transistor in the SOT223 envelope intended for  
use in compact fluorescent lamps, low power electronic lighting ballasts and similar high frequency converters and  
inverters.  
QUICK REFERENCE DATA  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
VCESM  
VCBO  
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0 V  
-
700  
700  
400  
1.0  
2.0  
6
V
V
V
A
A
W
V
Collector-Base voltage (open emitter)  
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
-
-
-
ICM  
Collector current peak value  
Total power dissipation  
Collector-emitter saturation voltage  
-
Ptot  
Tsp ≤ 25 ˚C  
-
VCEsat  
hFE  
IC = 0.75 A;IB = 150 mA  
IC = 0.75 A;VCE = 5 V  
IC = 1.0 A,IBON=200 mA  
0.23  
14  
50  
1.0  
20  
tfi  
Fall time (Inductive)  
70  
ns  
PINNING - SOT223  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
4
c
base  
2
collector  
emitter  
b
3
4
collector (tab)  
2
3
1
e
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. MAX. UNIT  
VCESM  
VCEO  
VCBO  
IC  
Collector to emitter voltage  
VBE = 0 V  
-
700  
400  
700  
1.0  
2.0  
0.5  
1.0  
6
V
V
Collector to emitter voltage (open base)  
Collector to base voltage (open emitter)  
Collector current (DC)  
-
-
V
-
A
ICM  
Collector current peak value  
Base current (DC)  
Base current peak value  
Total power dissipation  
Storage temperature  
Junction temperature  
-
A
IB  
IBM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
-
A
-
-
A
Tsp ≤ 25 ˚C  
W
˚C  
˚C  
-65  
-
150  
150  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
Rth j-sp  
Rth j-a  
Junction to solder point  
Junction to ambient  
-
20  
K/W  
pcb mounted pad areas as in Fig.  
23)  
pcb mounted, minimum footprint  
Mounted on 50x34x2mm  
aluminium PCB  
70  
30  
-
-
K/W  
K/W  
September 1999  
1
Rev 1.000  
1234567...9

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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