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BUH615D

更新时间： 2025-07-14 22:17:39

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体开关晶体管功率双极晶体管高压局域网
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描述
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

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BUH615D 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.85
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

BUH615D 数据手册

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BUH615D

®

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING

NPN POWER TRANSISTOR

■

STMicroelectronics PREFERRED

SALESTYPE

■

■

HIGH VOLTAGE CAPABILITY

NPN TRANSISTOR WITH INTEGRATED

FREEWHEELING DIODE

■

U.L. RECOGNISED ISOWATT218 PACKAGE

(U.L. FILE # E81734 (N))

3

APPLICATIONS:

2

■

HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOUR

TV

1

ISOWATT218

DESCRIPTION

The BUH615D

is

manufactured

using

Multiepitaxial Mesa technology for cost-effective

high performance and uses a Hollow Emitter

structure to enhance switching speeds.

The BUH series is designed for use in horizontal

deflection circuits in televisions and monitors.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage (I_E= 0)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

Value

Unit

1500

V

V

700

5

V

8

A

I_CM

Collector Peak Current (t_p< 5 ms)

Base Current

12

A

I_B

5

A

I_BM

Base Peak Current (t_p< 5 ms)

8

55

A

o

P_tot

Total Dissipation at T_c= 25 C

W

^oC

^oC

T_stg

T_j

Storage Temperature

-65 to 150

150

Max. Operating Junction Temperature

1/4

December 1999

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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