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BUH517D

更新时间： 2024-02-24 17:57:28

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SAVANTIC		晶体晶体管
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3页	147K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BUH517D 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	700 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	6	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	60 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUH517D 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BUH517D

DESCRIPTION

·With TO-3PML package

·High voltage,high speed

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·Horizontal deflection stage in standard and high

reslolution displays for TV’s and monitors.

·Switching power supplies for TV’s and monitors.

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

VALUE

UNIT

Open emitter

Open base

1700

700

Open collector

Collector current (DC)

Collector current (Pulse)

Base current (DC)

I_CM

t_p<5ms

I_B

I_BM

Base current (Pulse)

t_p<5ms

T_C=25ꢀ

P_tot

Total power dissipation

Operating junction temperature

Storage temperature

ꢀ

T_j

150

-65~150

T_stg

ꢀ

12 3

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