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BUF620

更新时间: 2024-11-12 21:54:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 98K
描述
Silicon NPN High Voltage Switching Transistor

BUF620 技术参数

生命周期:Active包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.06
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):4 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):7
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):40 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO标称过渡频率 (fT):8 MHz
Base Number Matches:1

BUF620 数据手册

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BUF620  
Vishay Telefunken  
Silicon NPN High Voltage Switching Transistor  
Features  
Simple-sWitch-Off Transistor (SWOT)  
HIGH SPEED technology  
Planar passivation  
100 kHz switching rate  
Very low switching losses  
Very low dynamic saturation  
Very low operating temperature  
Optimized RBSOA  
14283  
High reverse voltage  
Applications  
Electronic lamp ballast circuits  
Switch-mode power supplies  
Absolute Maximum Ratings  
T
case  
= 25°C, unless otherwise specified  
Parameter  
Collector-emitter voltage  
Test Conditions  
Symbol  
Value  
400  
Unit  
V
V
CEO  
V
CEW  
500  
V
V
V
700  
9
4
V
V
A
CES  
Emitter-base voltage  
Collector current  
EBO  
I
C
Collector peak current  
Base current  
I
6
2
A
A
CM  
I
B
Base peak current  
I
P
3
40  
150  
A
BM  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
T
case  
25 C  
W
C
C
tot  
T
j
T
–65 to +150  
stg  
Maximum Thermal Resistance  
T
case  
= 25°C, unless otherwise specified  
Parameter  
Junction case  
Test Conditions  
Symbol  
R
thJC  
Value  
3.12  
Unit  
K/W  
Document Number 86507  
Rev. 2, 20–Jan–99  
www.vishay.de FaxBack +1-408-970-5600  
1 (9)  

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