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BU941ZP

更新时间: 2024-09-28 22:15:11
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体驱动器晶体管功率双极晶体管高压
页数 文件大小 规格书
8页 87K
描述
HIGH VOLTAGE IGNITION COIL DRIVER NPN POWER DARLINGTON

BU941ZP 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-247
包装说明:ROHS COMPLIANT PACKAGE-3针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.57
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):15 A
集电极-发射极最大电压:350 V配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):300JEDEC-95代码:TO-247
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:155 W最大功率耗散 (Abs):155 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:2 V
Base Number Matches:1

BU941ZP 数据手册

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BU941Z/BU941ZP  
BU941ZPFI  
HIGH VOLTAGE IGNITION COIL DRIVER  
NPN POWER DARLINGTON  
VERY RUGGED BIPOLAR TECHNOLOGY  
BUILT IN CLAMPING ZENER  
HIGH OPERATING JUNCTION  
TEMPERATURE  
TO-3  
WIDE RANGE OF PACKAGES  
1
APPLICATIONS  
2
HIGH RUGGEDNESS ELECTRONIC  
IGNITIONS  
3
3
2
2
1
1
TO-218  
ISOWATT218  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
for TO-3  
Emitter: pin 2  
Base: pin1  
Collector: tab  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
BU941Z  
BU941ZP BUB941ZPFI  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage (IB = 0)  
Emitter-Base Voltage (IC = 0)  
Collector Current  
350  
5
V
V
15  
30  
1
A
ICM  
IB  
Collector Peak Current  
Base Current  
A
A
IBM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
Base Peak Current  
5
A
o
Total Dissipation at Tc = 25 C  
180  
155  
65  
-65 to 175  
175  
W
oC  
oC  
Storage Temperature  
-65 to 200 -65 to 175  
200 175  
Max. Operating Junction Temperature  
1/8  
January 2000  

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