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BU911

更新时间： 2024-01-19 06:31:39

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管开关局域网
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2页	105K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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BU911 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.79
JESD-609代码：	e0	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BU911 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BU911

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 400V(Min)

APPLICATIONS

·Solenoid/ relay drivers

·Motor control

·Electronic automotive ignition

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃)

SYMBOL

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Emitter Voltage V_BE= 0

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

VALUE

UNIT

450

400

I_CM

Collector Current-peak

Base Current

I_B

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

℃

T_j

Junction Temperature

150

-65~150

T_stg

Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

2.08

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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