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BU806

更新时间： 2024-01-21 14:06:29

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	108K
描述
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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BU806 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	200 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	60 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BU806 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

BU806

DESCRIPTION

·High Voltage: V_CEV= 400V(Min)

·Low Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 1.5V(Max)@ I_C= 5A

APPLICATIONS

·Designed for use in horizontal deflection circuits in TV’s and

CRT’s.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEV

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current

VALUE

400

200

UNIT

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-65~150

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient

2.08

℃/W

R_{th j-c}

R_{th j-a}

isc Website：www.iscsemi.cn

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与BU806相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BU8-06	FRONTIER	8A SILICON SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIERS	获取价格
BU806/D	ETC	NPN Darlington Power Transistor	获取价格
BU806/F1	STMICROELECTRONICS	8A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220, TO-220, 3 PIN	获取价格
BU80616	MOTOROLA	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast	获取价格
BU80616A	MOTOROLA	8 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB	获取价格
BU806A	MOTOROLA	8 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB	获取价格