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BU606

更新时间： 2024-09-26 09:02:15

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	74K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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BU606 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	200 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	750 ns	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	90 W	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz	VCEsat-Max：	1 V
Base Number Matches：	1

BU606 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BU606

DESCRIPTION

·High Voltage: V_CEV= 400V(Min)

·Fast Switching Speed-

: t_f= 0.75μs(Max)

·Low Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 1.0V(Max)@ I_C= 5A

APPLICATIONS

·Designed for use in horizontal deflection output stages

of TV’s and CRT’s

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEV

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

400

200

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak Repetitive

Collector Current- Peak (10ms)

Base Current

I_CP

I_B

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-65~150

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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