BU546

更新时间： 2024-09-26 06:44:35

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	117K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BU546 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BU546

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High voltage

·Fast switching speed

APPLICATIONS

·For color TV horizontal deflection circuits.

PINNING(see fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

1300

550

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

100

℃

T_j

175

T_stg

-65~175

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-C}

Thermal resistance junction to case

1.0

℃/W

12 3

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