BU536

更新时间： 2024-09-26 09:02:15

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描述
Silicon NPN Power Transistors

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BU536 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

BU536 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BU536

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High voltage

·Fast switching speed

APPLICATIONS

·For color TV horizontal deflection circuits.

PINNING(see fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

1100

480

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

t_p<5ms

P_T

T_C=25℃

℃

T_j

175

-65~175

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-C}

Thermal resistance junction to case

1.0

℃/W

12 3

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