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BU522BAJ

更新时间： 2024-01-29 03:54:14

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
60页	346K
描述
7A, 425V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

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BU522BAJ 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	425 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	250	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	7.5 MHz	Base Number Matches：	1

BU522BAJ 数据手册

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

7 AMPERES

DARLINGTON

POWER TRANSISTORS

NPN SILICON

Power Transistor mainly intended for use as ignition circuit output transistor.

•

Specified minimum sustaining voltage:

= 425 V at I = 1 A

450 VOLTS

75 WATTS

CER(sus)

High S.O.A. capability:

= 400 V

Low V

= 2.0 V max. at I = 4 A

CE(sat)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

BU522B

425

Unit

Vdc

Adc

Watts

Collector–Emitter Voltage Sust.

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

CER(sus)

CER

CBO

EBO

450

475

5.0

CASE 221A–06

TO–220AB

Collector Current Continuous

Base Current

7.0

2.0

Total Device Dissipation @ T = 25 C

Derate above 25 C

0.60

W/ C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–65 to 150

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max.

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

1.67

C/W

100

120

140

160

T , CASE TEMPERATURE (°C)

Figure 1. Power Derating

REV 7

3–246

Motorola Bipolar Power Transistor Device Data

12 3 4 5 6 7...60

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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