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BU52012NVX

更新时间： 2024-11-14 06:44:35

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罗姆 - ROHM		开关
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Hall effect Switch

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BU52012NVX 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	其他特性：	CMOS OUTPUT
主体宽度：	1.2 mm	主体高度：	0.6 mm
主体长度或直径：	1.6 mm	滞后：	0.9 mT
JESD-609代码：	e2	最大磁场范围：	5 mT
最小磁场范围：	0.6 mT	安装特点：	SURFACE MOUNT
最大工作电流：	0.0125 mA	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	输出范围：	0.20-1.60V
输出类型：	ANALOG VOLTAGE	封装形状/形式：	RECTANGULAR
传感器/换能器类型：	MAGNETIC FIELD SENSOR,HALL EFFECT	最大供电电压：	3.6 V
最小供电电压：	1.65 V	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)	端接类型：	SOLDER
Base Number Matches：	1

BU52012NVX 数据手册

1/4

STRUCTURE

Silicon Monolithic Integrated Circuit

TYPE

BU52012NVX

PRODUCT

Hall effect Switch

FEATURES

1) Unipolar detection (S-pole)

2) High sensitivity (B_OPTYP 3.0mT)

3) Low supply current

4) Small package

5) CMOS output type

●ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃)

PARAMETERS

SYMBOL

LIMIT

UNIT

※1

Power Supply Voltage

V_DD

I_OUT

-0.1～+4.5

Output Current

±0.5

※2

Power Dissipation

2049

Operating Temperature Range

T_opr

T_stg

-40～+85

℃

Storage Temperature Range

※1. Not to exceed Pd

-40～+125

※2. Reduced by 20.49mW for each increase in Ta of 1℃ over 25℃

（mounted on 70mm×70mm×1.6mm Glass-epoxy PCB）

●OPERATING CONDITIONS (Ta=-40～+85℃)

PARAMETERS

SYMBOL MIN TYP MAX UNIT

V_DD

1.65 3.00 3.60

Power Supply Voltage

Radiation hardiness is not designed.

REV. A

12 3 4 5

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