BU505D

更新时间： 2024-09-26 06:44:35

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2页	230K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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BU505D 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.8

BU505D 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BU505D

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 700V(Min.)

·High Switching Speed

APPLICATIONS

·Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV

receivers.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Emitter Voltage-V_BE=0

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

1500

700

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

Base Current-Peak

2.5

I_CM

I_B

I_BM

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

1.67

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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