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BU415B

更新时间： 2024-11-04 09:02:07

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	70K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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BU415B 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BU415B

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltag-

: V_CEO(SUS)= 400V(Min)

·High Switching Speed

APPLICATIONS

·Designed for TV horizontal output and high power switching

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

900

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

400

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak Repetitive

I_CM

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

120

℃

T_J

Junction Temperature

200

Storage Temperature Range

-65~200

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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