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BU407TU PDF预览

BU407TU

更新时间： 2024-11-03 21:04:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 45K
描述
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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BU407TU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.64最大集电极电流 (IC)：7 A
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：60 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：10 MHzBase Number Matches：1

BU407TU 数据手册

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BU407/407H  
High Voltage Switching  
•
Use In Horizontal Deflection Output Stage  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
330  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
150  
6
V
I
I
I
7
A
C
10  
A
CP  
B
4
60  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
I
Collector Cut-off Current  
V
V
V
= 330V, V = 0  
5
100  
1
mA  
µA  
mA  
CES  
CE  
CE  
CE  
BE  
= 200V, V = 0  
BE  
= 200V, V = 0 @ T = 150°C  
BE  
C
I
Emitter Cut-off Current  
V
= 6V, I = 0  
1
mA  
EBO  
BE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
CE  
: BU407  
: BU407H  
I
I
= 5A, I = 0.5A  
= 5A, I = 0.8A  
B
1
1
V
V
C
C
B
V
(sat)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
BE  
: BU407  
: BU407H  
I
I
= 5A, I = 0.5A  
1.2  
1.2  
V
V
C
C
B
= 5A, I = 0.8A  
B
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
= 10V, I = 0.5A  
10  
MHz  
T
CE  
C
t
Turn OFF Time  
: BU407  
OFF  
I
I
= 5A, I = 0.5A  
= 5A, I = 0.8A  
B
0.75  
0.4  
µs  
µs  
C
C
B
: BU407H  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BU407U MOTOROLA

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 		7 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BU407U2 MOTOROLA

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 		7A, 150V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BU407UA MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
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