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BU407

更新时间： 2024-11-17 22:48:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
4页 103K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTORS

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BU407 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.62其他特性：LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：7 A
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：60 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：10 MHzBase Number Matches：1

BU407 数据手册

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by BU406/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
These devices are high voltage, high speed transistors for horizontal deflection  
output stages of TV’s and CRT’s.  
7 AMPERES  
NPN SILICON  
POWER TRANSISTORS  
60 WATTS  
•
•
•
•
High Voltage: V  
= 330 or 400 V  
Fast Switching Speed: t = 750 ns (max)  
CEV  
f
Low Saturation Voltage: V = 1 V (max) @ 5 A  
Packaged in Compact JEDEC TO–220AB  
CE(sat)  
150 and 200 VOLTS  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
BU406  
200  
BU407  
150  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter Base Voltage  
V
CEO  
V
400  
330  
CEV  
CBO  
EBO  
V
V
400  
330  
6
Collector Current — Continuous  
Peak Repetitive  
Peak (10 ms)  
I
C
7
10  
15  
Base Current  
I
B
4
Adc  
Total Device Dissipation, T = 25 C  
Derate above T = 25 C  
C
P
D
60  
0.48  
Watts  
W/ C  
C
Operating and Storage  
Junction Temperature Range  
T , T  
J stg  
–65 to 150  
C
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
2.08  
70  
Unit  
C/W  
C/W  
C
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
R
θJC  
θJA  
CASE 221A–06  
TO–220AB  
Lead Temperature for Soldering Purposes:  
1/8″ from Case for 5 Seconds  
T
L
275  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
(I = 100 mAdc, I = 0)  
BU406  
BU407  
V
200  
150  
—
—
—
—
Vdc  
CEO(sus)  
C
B
Collector Cutoff Current  
I
mAdc  
CES  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
= Rated V  
= Rated V  
= Rated V  
, V  
= 0)  
+ 50 Vdc, V  
+ 50 Vdc, V  
—
—
—
—
—
—
5
0.1  
1
CEV BE  
= 0)  
CEO  
CEO  
BE  
BE  
= 0, T = 150 C)  
C
Emitter Cutoff Current  
(V = 6 Vdc, I = 0)  
BU406, BU407  
I
—
—
1
mAdc  
EBO  
EB  
ON CHARACTERISTICS (1)  
Collector–Emitter Saturation Voltage (I = 5 Adc, I = 0.5 Adc)  
C
V
—
—
—
—
—
—
1
1.2  
2
Vdc  
Vdc  
C
B
CE(sat)  
V
BE(sat)  
Base–Emitter Saturation Voltage (I = 5 Adc, I = 0.5 Adc)  
C
B
Forward Diode Voltage (I  
EC  
= 5 Adc) “D” only  
V
Volts  
EC  
(1) Pulse Test: Pulse Width  
300 µs, Duty Cycle  
1%.  
(continued)  
REV 2  
Motorola, Inc. 1995
1234

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BU407 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BU406G ONSEMI

类似代替

 NPN Power Transistors
BU406 ONSEMI

类似代替

 NPN SILICON POWER TRANSISTORS

与BU407相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BU407_09 UTC

获取价格

 		NPN EXPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
BU407_15 UTC

获取价格

 		NPN EXPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
BU4070B ROHM

获取价格

 		Quad exclusive OR gate
BU4070B/BF ROHM

获取价格

 		Standard LSIs
BU4070B-E2 ROHM

获取价格

 		High Voltage CMOS Logic ICs
BU4070BF ROHM

获取价格

 		Quad exclusive OR gate
BU4070BFE1 ROHM

获取价格

 		4000/14000/40000 SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, PDSO14, SOP-14
BU4070BF-E1 ROHM

获取价格

 		XOR Gate, 4000/14000/40000 Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, PDSO14, SOP-14
BU4070BFE2 ROHM

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 		High Voltage CMOS Logic ICs
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