BU406N

更新时间： 2024-11-04 13:05:59

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	103K
描述
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BU406N 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.59
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	200 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	60 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz	Base Number Matches：	1

BU406N 数据手册

Order this document

by BU406/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

These devices are high voltage, high speed transistors for horizontal deflection

output stages of TV’s and CRT’s.

7 AMPERES

NPN SILICON

POWER TRANSISTORS

60 WATTS

•

High Voltage: V

= 330 or 400 V

Fast Switching Speed: t = 750 ns (max)

CEV

Low Saturation Voltage: V = 1 V (max) @ 5 A

Packaged in Compact JEDEC TO–220AB

CE(sat)

150 and 200 VOLTS

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

BU406

200

BU407

150

Unit

Vdc

Adc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter Base Voltage

CEO

400

330

CEV

CBO

EBO

400

330

Collector Current — Continuous

Peak Repetitive

Peak (10 ms)

Base Current

Adc

Total Device Dissipation, T = 25 C

Derate above T = 25 C

0.48

Watts

W/ C

Operating and Storage

Junction Temperature Range

T , T

J stg

–65 to 150

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

2.08

Unit

C/W

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient

θJC

θJA

CASE 221A–06

TO–220AB

Lead Temperature for Soldering Purposes:

1/8″ from Case for 5 Seconds

275

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

(1)

Collector–Emitter Sustaining Voltage

(I = 100 mAdc, I = 0)

BU406

BU407

200

150

—

Vdc

CEO(sus)

Collector Cutoff Current

mAdc

CES

= Rated V

, V

= 0)

+ 50 Vdc, V

—

0.1

CEV BE

= 0)

CEO

= 0, T = 150 C)

Emitter Cutoff Current

(V = 6 Vdc, I = 0)

BU406, BU407

—

mAdc

EBO

ON CHARACTERISTICS (1)

Collector–Emitter Saturation Voltage (I = 5 Adc, I = 0.5 Adc)

—

1.2

Vdc

CE(sat)

BE(sat)

Base–Emitter Saturation Voltage (I = 5 Adc, I = 0.5 Adc)

Forward Diode Voltage (I

= 5 Adc) “D” only

Volts

(1) Pulse Test: Pulse Width

300 µs, Duty Cycle

1%.

(continued)

REV 2

M^Mo^oto^tor^ro^ol^laa^{, I}B^ncip^{. 1}o⁹la⁹⁵r Power Transistor Device Data

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与BU406N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BU406S	MOTOROLA	获取价格	7A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BU406S	UTC	获取价格	NPN
BU406S	FOSHAN	获取价格	TO-220
BU406-S	STMICROELECTRONICS	获取价格	Transistor
BU406SL	FOSHAN	获取价格	TO-126
BU406T	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
BU406TU	FAIRCHILD	获取价格	NPN Epitaxial Silicon Transistor
BU406TU	ONSEMI	获取价格	NPN 双极功率晶体管
BU406U	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
BU406U2	MOTOROLA	获取价格	7 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

与BU406N相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

7
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

33
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

30

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BU406N

BU406N 技术参数

BU406N 数据手册

与BU406N相关器件

与BU406N相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BU406N

BU406N 技术参数

BU406N 数据手册

与BU406N相关器件

与BU406N相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？