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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.59 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7 A | 集电极-发射极最大电压： | 200 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 60 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BU406DW | MOTOROLA |
获取价格 |
7A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| BU406DWD | MOTOROLA |
获取价格 |
7A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| BU406F | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistors |
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| BU406FI | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistors |
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| BU406G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN Power Transistors |
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| BU406G-A-T3P-T | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
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| BU406G-A-TA3-T | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
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| BU406G-A-TF1-T | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
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| BU406G-A-TF3-T | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
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| BU406G-A-TQ2-R | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
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