BU406DS

更新时间： 2024-11-09 13:00:47

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	103K
描述
7 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

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BU406DS 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	200 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	60 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz	Base Number Matches：	1

BU406DS 数据手册

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by BU406/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

These devices are high voltage, high speed transistors for horizontal deflection

output stages of TV’s and CRT’s.

7 AMPERES

NPN SILICON

POWER TRANSISTORS

60 WATTS

•

High Voltage: V

= 330 or 400 V

Fast Switching Speed: t = 750 ns (max)

CEV

Low Saturation Voltage: V = 1 V (max) @ 5 A

Packaged in Compact JEDEC TO–220AB

CE(sat)

150 and 200 VOLTS

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

BU406

200

BU407

150

Unit

Vdc

Adc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter Base Voltage

CEO

400

330

CEV

CBO

EBO

400

330

Collector Current — Continuous

Peak Repetitive

Peak (10 ms)

Base Current

Adc

Total Device Dissipation, T = 25 C

Derate above T = 25 C

0.48

Watts

W/ C

Operating and Storage

Junction Temperature Range

T , T

J stg

–65 to 150

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

2.08

Unit

C/W

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient

θJC

θJA

CASE 221A–06

TO–220AB

Lead Temperature for Soldering Purposes:

1/8″ from Case for 5 Seconds

275

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

(1)

Collector–Emitter Sustaining Voltage

(I = 100 mAdc, I = 0)

BU406

BU407

200

150

—

Vdc

CEO(sus)

Collector Cutoff Current

mAdc

CES

= Rated V

, V

= 0)

+ 50 Vdc, V

—

0.1

CEV BE

= 0)

CEO

= 0, T = 150 C)

Emitter Cutoff Current

(V = 6 Vdc, I = 0)

BU406, BU407

—

mAdc

EBO

ON CHARACTERISTICS (1)

Collector–Emitter Saturation Voltage (I = 5 Adc, I = 0.5 Adc)

—

1.2

Vdc

CE(sat)

BE(sat)

Base–Emitter Saturation Voltage (I = 5 Adc, I = 0.5 Adc)

Forward Diode Voltage (I

= 5 Adc) “D” only

Volts

(1) Pulse Test: Pulse Width

300 µs, Duty Cycle

1%.

(continued)

REV 2

M^Mo^oto^tor^ro^ol^laa^{, I}B^ncip^{. 1}o⁹la⁹⁵r Power Transistor Device Data

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BU406DT	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
BU406DU	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
BU406DU2	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
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