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BU406BA PDF预览

BU406BA

更新时间： 2024-11-04 03:41:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
59页 341K
描述
7A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

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BU406BA 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.65
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：7 A
集电极-发射极最大电压：200 V配置：SINGLE
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：10 MHzBase Number Matches：1

BU406BA 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
These devices are high voltage, high speed transistors for horizontal deflection  
output stages of TV’s and CRT’s.  
7 AMPERES  
NPN SILICON  
POWER TRANSISTORS  
60 WATTS  
•
•
•
•
High Voltage: V  
= 330 or 400 V  
Fast Switching Speed: t = 750 ns (max)  
CEV  
f
Low Saturation Voltage: V = 1 V (max) @ 5 A  
Packaged in Compact JEDEC TO–220AB  
CE(sat)  
150 and 200 VOLTS  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
BU406  
200  
BU407  
150  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter Base Voltage  
V
CEO  
V
400  
330  
CEV  
CBO  
EBO  
V
V
400  
330  
6
Collector Current — Continuous  
Peak Repetitive  
Peak (10 ms)  
I
C
7
10  
15  
Base Current  
I
B
4
Adc  
Total Device Dissipation, T = 25 C  
Derate above T = 25 C  
C
P
D
60  
0.48  
Watts  
W/ C  
C
Operating and Storage  
Junction Temperature Range  
T , T  
J stg  
–65 to 150  
C
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
2.08  
70  
Unit  
C/W  
C/W  
C
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
R
θJC  
θJA  
CASE 221A–06  
TO–220AB  
Lead Temperature for Soldering Purposes:  
1/8″ from Case for 5 Seconds  
T
L
275  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
(I = 100 mAdc, I = 0)  
BU406  
BU407  
V
200  
150  
—
—
—
—
Vdc  
CEO(sus)  
C
B
Collector Cutoff Current  
I
mAdc  
CES  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
= Rated V  
= Rated V  
= Rated V  
, V  
= 0)  
+ 50 Vdc, V  
+ 50 Vdc, V  
—
—
—
—
—
—
5
0.1  
1
CEV BE  
= 0)  
CEO  
CEO  
BE  
BE  
= 0, T = 150 C)  
C
Emitter Cutoff Current  
(V = 6 Vdc, I = 0)  
BU406, BU407  
I
—
—
1
mAdc  
EBO  
EB  
ON CHARACTERISTICS (1)  
Collector–Emitter Saturation Voltage (I = 5 Adc, I = 0.5 Adc)  
C
V
—
—
—
—
—
—
1
1.2  
2
Vdc  
Vdc  
C
B
CE(sat)  
V
BE(sat)  
Base–Emitter Saturation Voltage (I = 5 Adc, I = 0.5 Adc)  
C
B
Forward Diode Voltage (I  
= 5 Adc) “D” only  
V
Volts  
EC  
EC  
(1) Pulse Test: Pulse Width  
300 µs, Duty Cycle  
1%.  
(continued)  
REV 2  
3–244  
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data  
1234567...59

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BU406BC ONSEMI

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 		7A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BU406BD ONSEMI

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 		7A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
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 		7A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BU406BS ONSEMI

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 		TRANSISTOR 7 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pu
BU406-B-T3P-T UTC

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 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
BU406-B-TA3-T UTC

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 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
BU406-B-TF3-T UTC

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