5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BU406
BU406 PDF预览

BU406

更新时间： 2024-11-02 22:27:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 103K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTORS

阅读下载

中文翻译

获取价格

BU406 数据手册

 浏览型号BU406的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BU406的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BU406的Datasheet PDF文件第4页 
Order this document  
by BU406/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
These devices are high voltage, high speed transistors for horizontal deflection  
output stages of TV’s and CRT’s.  
7 AMPERES  
NPN SILICON  
POWER TRANSISTORS  
60 WATTS  
•
•
•
•
High Voltage: V  
= 330 or 400 V  
Fast Switching Speed: t = 750 ns (max)  
CEV  
f
Low Saturation Voltage: V = 1 V (max) @ 5 A  
Packaged in Compact JEDEC TO–220AB  
CE(sat)  
150 and 200 VOLTS  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
BU406  
200  
BU407  
150  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter Base Voltage  
V
CEO  
V
400  
330  
CEV  
CBO  
EBO  
V
V
400  
330  
6
Collector Current — Continuous  
Peak Repetitive  
Peak (10 ms)  
I
C
7
10  
15  
Base Current  
I
B
4
Adc  
Total Device Dissipation, T = 25 C  
Derate above T = 25 C  
C
P
D
60  
0.48  
Watts  
W/ C  
C
Operating and Storage  
Junction Temperature Range  
T , T  
J stg  
–65 to 150  
C
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
2.08  
70  
Unit  
C/W  
C/W  
C
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
R
θJC  
θJA  
CASE 221A–06  
TO–220AB  
Lead Temperature for Soldering Purposes:  
1/8″ from Case for 5 Seconds  
T
L
275  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
(I = 100 mAdc, I = 0)  
BU406  
BU407  
V
200  
150  
—
—
—
—
Vdc  
CEO(sus)  
C
B
Collector Cutoff Current  
I
mAdc  
CES  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
= Rated V  
= Rated V  
= Rated V  
, V  
= 0)  
+ 50 Vdc, V  
+ 50 Vdc, V  
—
—
—
—
—
—
5
0.1  
1
CEV BE  
= 0)  
CEO  
CEO  
BE  
BE  
= 0, T = 150 C)  
C
Emitter Cutoff Current  
(V = 6 Vdc, I = 0)  
BU406, BU407  
I
—
—
1
mAdc  
EBO  
EB  
ON CHARACTERISTICS (1)  
Collector–Emitter Saturation Voltage (I = 5 Adc, I = 0.5 Adc)  
C
V
—
—
—
—
—
—
1
1.2  
2
Vdc  
Vdc  
C
B
CE(sat)  
V
BE(sat)  
Base–Emitter Saturation Voltage (I = 5 Adc, I = 0.5 Adc)  
C
B
Forward Diode Voltage (I  
EC  
= 5 Adc) “D” only  
V
Volts  
EC  
(1) Pulse Test: Pulse Width  
300 µs, Duty Cycle  
1%.  
(continued)  
REV 2  
Motorola, Inc. 1995
1234

中文翻译

下载PDF

BU406 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BU406TU ONSEMI

类似代替

 NPN 双极功率晶体管
BU406G ONSEMI

类似代替

 NPN Power Transistors
BU407 ONSEMI

类似代替

 NPN SILICON POWER TRANSISTORS

与BU406相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BU4-06 FRONTIER

获取价格

 		4A SILICON SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIERS
BU406 A8 KEXIN

获取价格

 		NPN Transistor
BU406(TO-220&220FP) SISEMIC

获取价格

 		耐高压 开关速度快 安全工作区宽 符合RoHS规范
BU406/D ETC

获取价格

 		NPN Power Transistors
BU406_03 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR
BU406_15 UTC

获取价格

 		SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR
BU40616 MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
BU40616A MOTOROLA

获取价格

 		7A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BU-4061-M-39-0 ETC

获取价格

 		Shrouded Banana Plug to Safety Test Prob - Silicone
BU-4061-M-39-2 ETC

获取价格

 		Shrouded Banana Plug to Safety Test Prob - Silicone

与BU406相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证