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BU2525DF

更新时间： 2024-11-24 22:48:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 75K
描述
Silicon Diffused Power Transistor

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BU2525DF 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.81
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：12 A
集电极-发射极最大电压：800 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：5JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：45 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：4350 nsVCEsat-Max：5 V

BU2525DF 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
BU2525DF  
GENERAL DESCRIPTION  
New generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with integrated damper diode in a plastic  
full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of large screen colour television receivers up to  
32 kHz.  
QUICK REFERENCE DATA  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
VCESM  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0 V  
-
1500  
V
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
-
800  
12  
30  
45  
5.0  
-
V
A
-
-
ICM  
Collector current peak value  
Total power dissipation  
A
Ptot  
VCEsat  
ICsat  
ts  
T
hs ≤ 25 ˚C  
-
-
W
V
Collector-emitter saturation voltage  
Collector saturation current  
Storage time  
IC = 8.0 A; IB = 1.6 A  
8.0  
3.0  
A
ICsat = 8.0 A; IB(end) = 1.1 A  
4.0  
µs  
PINNING - SOT199  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
c
case  
base  
2
collector  
emitter  
b
3
Rbe  
case isolated  
1
2
3
e
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. MAX. UNIT  
VCESM  
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0 V  
-
1500  
800  
12  
V
V
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
-
-
A
ICM  
Collector current peak value  
Base current (DC)  
-
30  
A
IB  
IBM  
-IB(AV)  
-IBM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
-
8
12  
A
Base current peak value  
Reverse base current  
-
A
average over any 20 ms period  
-
200  
9
mA  
A
Reverse base current peak value 1  
Total power dissipation  
Storage temperature  
-
-
Ths ≤ 25 ˚C  
45  
W
˚C  
˚C  
-65  
-
150  
150  
Junction temperature  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
Rth j-hs  
Rth j-hs  
Rth j-a  
Junction to heatsink  
Junction to heatsink  
Junction to ambient  
without heatsink compound  
with heatsink compound  
in free air  
-
-
3.7  
2.8  
-
K/W  
K/W  
K/W  
35  
1 Turn-off current.  
September 1997  
1
Rev 1.200  
1234567

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