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BU2114F

更新时间： 2024-01-26 13:35:23
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 外围驱动器移位寄存器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 86K
描述
8-bit shift register and latch driver

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BU2114F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP-18针数：18
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.64
输入特性：STANDARD接口集成电路类型：SIPO BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：R-PDSO-G18JESD-609代码：e3/e2
长度：11.2 mm功能数量：1
端子数量：18最高工作温度：75 °C
最低工作温度：-25 °C输出特性：OPEN-DRAIN
输出电流流向：SINK封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.9 mm
最大供电电压：5.5 V最小供电电压：4.5 V
标称供电电压：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL EXTENDED
端子面层：TIN/TIN COPPER端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10断开时间：0.2 µs
接通时间：0.2 µs宽度：5.4 mm
Base Number Matches：1

BU2114F 数据手册

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Standard ICs  
8-bit shift register and latch driver  
BU2114 / BU2114F  
The BU2114 and BU2114F are CMOS ICs with low power consumption, and are equipped with an 8-bit shift register  
latch. Data in the shift register can be latched asynchronously. The outputs (O1 to O8) are open drain outputs  
(because there is no protection diode, a maximum voltage above VDD, of up to 7V, can be applied), and one output  
can drive 36 mA. A total output of up to 150 mA can be driven (when using static operation).  
Applications  
•
These are designed for a wide range of applications in microcomputer peripheral circuits, such as in industrial equip-  
ment, office telephones, audio visual equipment, and expansion input and output boards.  
Features  
•
3) Latch to 8-bit shift register provided, enabling drive  
of up to 150mA. (ISINK = 36mA)  
1) The CMOS configuration enables low power con-  
sumption.  
4) Cascade connections possible.  
2) Open drain output.  
Absolute maximum ratings (unless otherwise noted, Ta = 25°C)  
•
Parameter  
Applied voltage  
Symbol  
VDD  
Limits  
Unit  
V
– 0.3 ~ + 7.0  
– 0.3 ~ VDD0.3  
– 25 ~ + 75  
– 55 ~ + 150  
± 20  
Input voltage  
VIN  
V
Operating temperature  
Storage temperature  
Input protection diode current  
Topr  
Tstg  
ID  
°C  
°C  
mA  
1
BU2114  
Power dissipation  
BU2114F  
1100  
Pd  
mW  
2
400  
1 Power dissipation is reduced by 8.8mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.  
2 Power dissipation is reduced by 3.2mW for each increase in Ta of 1°C over 25°C.  
Recommended operating conditions (unless otherwise noted, Ta = 25°C)  
•
Parameter  
Symbol  
VDD  
Min.  
4.5  
0
Typ.  
5.0  
—
Max.  
5.5  
Unit  
V
Conditions  
Recommend voltage  
Input voltage  
VIN  
VDD  
VDD  
V
SIN, CK, LATCH, EN, RST  
SOUT  
Output voltage  
VOUT  
0
—
V
᭺Not designed for radiation resistance.  
1
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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