BU21018MWV

更新时间： 2024-09-26 09:01:59

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罗姆 - ROHM		模拟IC 信号电路
页数	文件大小	规格书
5页	157K
描述
Silicon Monolithic IC

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BU21018MWV 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFN	包装说明：	HVQCCN,
针数：	56	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	其他特性：	IT ALSO REQUIRES 1.6 TO 2 V
模拟集成电路 - 其他类型：	ANALOG CIRCUIT	JESD-30 代码：	S-XQCC-N56
长度：	7 mm	功能数量：	1
端子数量：	56	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-20 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	HVQCCN	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
表面贴装：	YES	温度等级：	OTHER
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.4 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7 mm	Base Number Matches：	1

BU21018MWV 数据手册

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Structure

Silicon Monolithic IC

Product Name

Capacitive Sensor Controller for Cellular Phone

Product No

Features

BU21018MWV

1) High- resistive sensor material

2) High Speed Sensing

3) 3.0 V singe power supply

4) 36ch sensors

5) 2ch reference (1ch only use is possible)

6) Automatic program download function for internal CPU

●Absolute maximum ratings

PARAMETER

SYMBOL

DVDD

AVDD

Vdi

RATING

UNIT

Digital applied voltage

Analog applied voltage

Digital input voltage

Analog input voltage

-0.5 ～ 2.5

-0.5 ～ 4.5

-0.5 ～ DVDD

-0.5 ～ AVDD

Vai

Storage temperature range

Power dissipation

Tstg

-55 ～ 125

928*1

℃

(*1) This is the power dissipation per IC unit. Reduce to 9.28 mW /℃ when Ta = 25℃ or above.

●Operating conditions

PARAMETER

Digital power supply

SYMBOL

DVDD

AVDD

Topr

RATING

UNIT

1.60 ～ 2.00

2.70 ～ 3.60

-20 ～ 85

Analog power supply

Operating temperature rage

℃

This chip is not designed to protect itself against radioactive rays.

REV. C

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