BU134

更新时间： 2024-02-07 17:46:21

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	194K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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BU134 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	350 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz	Base Number Matches：	1

BU134 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BU134

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 350V(Min.)

·Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 1.0V(Max.)@ I_C= 3A

·High Speed Switching

APPLICATIONS

·Designed for use in color TV receiver’s chopper supply.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

500

350

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@ T_C= 25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

200

Storage Temperature Range

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

2.0

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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