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BU133

更新时间： 2024-02-22 11:34:34

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	39K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BU133 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BU133

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High voltage ,high speed

APPLICATIONS

·Intended for operating in color TV

receiver’s chopper supplies

PINNING (See Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

MAX

750

250

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=50℃

℃

T_j

200

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-mb}

Thermal resistance from junction to mounting base

2.33

℃/W

12 3

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