BU103A

更新时间： 2024-11-15 06:44:31

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	274K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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BU103A 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

BU103A 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BU103A

DESCRIPTION

·Continuous Collector Current-I_C= 1A

·Collector Power Dissipation-

: P_C= 30W @T_C= 25℃

APPLICATIONS

·Designed for TV vertical applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CER

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

120

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage R_BE= 220Ω

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Power Dissipation@T_C=25℃

Junction Temperature

P_C

℃

T_J

200

-65~200

Storage Temperature

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

6.0

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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