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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> BTW69-800RG
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BTW69-800RG

更新时间： 2024-11-28 03:23:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可控硅
页数 文件大小 规格书
6页 85K
描述
50A SCRS

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BTW69-800RG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.30.00.80Factory Lead Time：7 weeks
风险等级：1.63其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED标称电路换相断开时间：100 µs
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：250 V/us
最大直流栅极触发电流：80 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：150 mAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大漏电流：200 mA
通态非重复峰值电流：610 A元件数量：1
端子数量：3最大通态电流：32000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：50 A
重复峰值关态漏电流最大值：20 µA断态重复峰值电压：800 V
重复峰值反向电压：800 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

BTW69-800RG 数据手册

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BTW67 and BTW69 Series  
®
50A SCRS  
STANDARD  
Table 1: Main Features  
Symbol  
A
Value  
Unit  
IT(RMS)  
50  
A
G
K
VDRM/VRRM  
IGT  
600 to 1200  
80  
V
mA  
K
A
G
DESCRIPTION  
Available in high power packages, the BTW67 /  
BTW69 Series is suitable in applications where  
power handling and power dissipation are critical,  
such as solid state relays, welding equipment,  
high power motor control.  
K
A
G
RD91  
(BTW67)  
TOP3 Ins.  
(BTW69)  
Based on a clip assembly technology, they offer a  
superior performance in surge current handling  
capabilities.  
Thanks to their internal ceramic pad, they provide  
high voltage insulation (2500VRMS), complying  
with UL standards (file ref: E81734).  
Table 2: Order Codes  
Part Numbers  
Marking  
BTW67xxx  
BTW69xxx  
BTW67-xxx  
BTW69-xxxRG  
Table 3: Absolute Ratings (limiting values)  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
Tc = 70°C  
Tc = 75°C  
Tc = 70°C  
Tc = 75°C  
RD91  
RMS on-state current  
IT(RMS)  
50  
A
(180° conduction angle)  
TOP3 Ins.  
RD91  
Average on-state current  
(180° conduction angle)  
IT(AV)  
32  
A
A
TOP3 Ins.  
tp = 8.3 ms  
tp = 10 ms  
610  
580  
ITSM  
Tj = 25°C  
Non repetitive surge peak on-state current  
²
²
A2S  
Tj = 25°C  
1680  
I t  
I t Value for fusing  
Critical rate of rise of on-state current IG = 2  
x IGT , tr ≤ 100 ns  
Tj = 125°C  
dI/dt  
F = 60 Hz  
tp = 20 µs  
50  
A/µs  
IGM  
Tj = 125°C  
Tj = 125°C  
Peak gate current  
8
1
A
PG(AV)  
Average gate power dissipation  
W
Tstg  
Tj  
- 40 to + 150  
- 40 to + 125  
Storage junction temperature range  
Operating junction temperature range  
°C  
V
VRGM  
Maximum peak reverse gate voltage  
5
February 2006  
REV. 5  
1/6  
123456

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