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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 5页 | 70K |  |
| 描述 | ||
| HIGH SURGE CAPABILITY | ||
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.81 | 其他特性： | UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 标称电路换相断开时间： | 100 µs |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 250 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 50 mA | 最大直流栅极触发电压： | 1.5 V |
| 最大维持电流： | 75 mA | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大漏电流： | 3 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 420 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最大通态电流： | 25000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 30 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 20 µA | 断态重复峰值电压： | 1200 V |
| 重复峰值反向电压： | 1200 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | SCR |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BTW681200N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
35A, 1200V, SCR |
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| BTW68-1200N | STMICROELECTRONICS |
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35A, 1200V, SCR |
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| BTW68-1200RG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
30 A标准SCR晶闸管，TOP3I封装 |
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| BTW68200 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
HIGH SURGE CAPABILITY |
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| BTW68-200 | STMICROELECTRONICS |
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HIGH SURGE CAPABILITY |
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| BTW68400 | STMICROELECTRONICS |
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HIGH SURGE CAPABILITY |
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| BTW68-400 | STMICROELECTRONICS |
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HIGH SURGE CAPABILITY |
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| BTW68600 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
HIGH SURGE CAPABILITY |
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| BTW68-600 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
HIGH SURGE CAPABILITY |
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| BTW68600N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
35A, 600V, SCR |
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