BTS941

更新时间： 2024-01-05 00:18:36

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英飞凌 - INFINEON		外围驱动器驱动程序和接口开关电源开关过载保护
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11页	195K
描述
Smart Lowside Power Switch (Logic Level Input Input Protection ESD Thermal Shutdown Overload protection)

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BTS941 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	内置保护：	OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
输入特性：	SCHMITT TRIGGER	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：	R-PSFM-T5	功能数量：	1
端子数量：	5	输出特性：	OPEN-DRAIN
输出电流流向：	SINK	标称输出峰值电流：	130 A
输出极性：	TRUE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大压摆率：	0.1 mA
标称供电电压：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	MOS	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	断开时间：	170 µs
接通时间：	100 µs	Base Number Matches：	1

BTS941 数据手册

HITFET BTS 941

Smart Lowside Power Switch

Features

Product Summary

Drain source voltage

On-state resistance

Current limit

• Logic Level Input

• Input Protection (ESD)

• Thermal Shutdown

• Overload protection

• Short circuit protection

• Overvoltage protection

• Current limitation

mΩ

DS(on)

D(lim)

Nominal load current

Clamping energy

D(ISO)

4000 mJ

• Maximum current adjustable with external resistor

• Current sense

• Status feedback with external input resistor

• Analog driving possible

Application

• All kinds of resistive, inductive and capacitive loads in switching or

linear applications

• µC compatible power switch for 12 V and 24 V DC applications

• Replaces electromechanical relays and discrete circuits

General Description

N channel vertical power FET in Smart SIPMOS chip on chip tech-

nology. Fully protected by embedded protected functions.

LOAD

Drain

Overvoltage

protection

Current

dv/dt

limitation

Over-

temperature

protection

Overload

protection

Short circuit

ESD

protection

Source

HITFET

Page 1

14.07.1998

Semiconductor Group

12 3 4 5 6 7...11

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