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BTS3134N

更新时间： 2024-02-25 12:22:56

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英飞凌 - INFINEON		开关电源开关
页数	文件大小	规格书
10页	209K
描述
Smart Lowside Power Switch

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BTS3134N 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SOP, SOT-223	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	1.56
Samacsys Description：	Smart Low-Side Power Switch Logic SOT223 Infineon BTS3134N, Dual Intelligent Power Switch, Low Side, 3A, -0.2 → 10V, 4-Pin, SOT-223	内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
驱动器位数：	1	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
长度：	6.5 mm	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	4
输出电流流向：	SINK	标称输出峰值电流：	24 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOT-223	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	12 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	AEC-Q100	座面最大高度：	1.8 mm
子类别：	Peripheral Drivers	标称供电电压：	12 V
表面贴装：	YES	技术：	MOS
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	2.3 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	断开时间：	100 µs
接通时间：	100 µs	宽度：	3.5 mm
Base Number Matches：	1

BTS3134N 数据手册



HITFET = BTS 3134 N

Smart Lowside Power Switch

Features

Logic Level Input

Product Summary

Drain source voltage

Input Protection (ESD)

Thermal shutdown

Overload protection

Short circuit protection

Overvoltage protection

Current limitation

On-state resistance

Nominal load current

Clamping energy

DS(on)

D(Nom)

500 mJ

Analog driving possible

VPS05163

Application

All kinds of resistive, inductive and capacitive loads in switching

or linear applications

µC compatible power switch for 12 V DC applications

Replaces electromechanical relays and discrete circuits

General Description

N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected by embedded

protection functions.

Vbb

Drain

HITFET

Pin 2 and 4 (TAB)

Current

Overvoltage-

Protection

Limitation

Gate-Driving

Unit

Pin 1

Over-

Overload

Short circuit

Protection

temperature

Protection

ESD

Protection

Pin 3

Source

Page 1

2002-09-04

12 3 4 5 6 7...10

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