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BTP3906A3

更新时间： 2024-09-26 04:09:39

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全宇昕 - CYSTEKEC		晶体晶体管
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描述
General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor

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BTP3906A3 数据手册

Spec. No. : C318N3-H

Issued Date : 2002.06.11

Revised Date : 2002.11.01

Page No. : 1/4

CYStech Electronics Corp.

General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor

BTP3906A3

Description

• High Cutoff Frequency.

• Complementary to BTN3904A3

Symbol

Outline

BTP3906A3

TO-92

B：Base

C：Collector

E：Emitter

E B C

Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limits

-40

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

-40

-5

-200

625

°C/W

°C

Power Dissipation

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction Temperature

Storage Temperature

R^θJA

200

150

Tstg

-55~+150

°C

BTP3906N3

CYStek Product Specification

12 3 4

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