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BTB41-800

更新时间： 2024-01-26 21:23:54
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SIRECTIFIER /
页数 文件大小 规格书
4页 270K
描述
Discrete Triacs

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BTB41-800 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-3包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.30.00.80
Factory Lead Time：7 weeks风险等级：1.62
外壳连接：MAIN TERMINAL 2配置：SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值：10 V/us关态电压最小值的临界上升速率：500 V/us
最大直流栅极触发电流：100 mA最大直流栅极触发电压：1.3 V
最大维持电流：80 mAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大漏电流：5 mA
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：40 A
断态重复峰值电压：800 V子类别：TRIACs
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：1

BTB41-800 数据手册

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BTB41  
Discrete Triacs(Non-Isolated)  
Dimensions TO-247AD  
Dim.  
Millimeter  
Min. Max. Min.  
Inches  
Max.  
T2  
A
B
19.81 20.32 0.780 0.800  
20.80 21.46 0.819 0.845  
G
T1  
C
D
15.75 16.26 0.610 0.640  
3.55 3.65 0.140 0.144  
VDRM/RRM VDSM/RSM  
E
F
4.32 5.49 0.170 0.216  
V
V
220  
450  
700  
900  
5.4  
6.2 0.212 0.244  
BTB41-200  
BTB41-400  
BTB41-600  
BTB41-800  
200  
400  
600  
800  
G
H
1.65 2.13 0.065 0.084  
-
4.5  
-
0.177  
J
K
1.0  
1.4 0.040 0.055  
10.8 11.0 0.426 0.433  
L
M
4.7  
0.4  
5.3 0.185 0.209  
0.8 0.016 0.031  
BTB41-1000  
BTB41-1200  
1000  
1200  
1100  
1300  
N
1.5 2.49 0.087 0.102  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Value  
Unit  
Symbol  
I
RMS on-state current (full sine wave)  
T(RMS)  
41  
TO-247AD  
A
Tc = 80 °C  
t = 16.7 ms  
t = 20 ms  
I
Non repetitive surge peak on-state  
current (full cycle, Tj initial = 25°C)  
F = 60 Hz  
F = 50 Hz  
A
420  
400  
TSM  
²
²
²
tp = 10 ms  
A s  
I t  
I t Value for fusing  
880  
50  
Critical rate of rise of on-state current  
dI/dt  
/V  
F = 120 Hz  
tp = 10 ms  
tp = 20 µs  
Tj = 125°C  
A/µs  
V
_
, tr < 100 ns  
GT  
I
= 2 x I  
G
V
/V  
Non repetitive surge peak off-state  
voltage  
DRM RRM  
V
Tj = 25°C  
DSM RSM  
+ 100  
I
Peak gate current  
Tj = 125°C  
8
1
A
GM  
P
Average gate p ower diss ipation  
Tj = 125°C  
W
G(AV)  
T
Storage junction temperature range  
Operating junction temperature range  
- 40 to + 150  
- 40 to + 125  
stg  
°C  
T
j
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj = 25°C, unless otherwise specified)  
Symbol  
Test Conditions  
Quadrant  
Value  
Unit  
50  
mA  
I - II - III  
IV  
I
(1)  
GT  
MAX.  
100  
V = 12 V  
R = 33  
Ω
Ω
D
L
V
V
V
GT  
ALL  
ALL  
MAX.  
MIN.  
1.3  
0.2  
V
V = V  
R = 3.3 k  
Tj = 125°C  
GD  
D
DRM  
L
I
(2)  
L
I = 500 mA  
mA  
mA  
H
T
80  
70  
MAX.  
MAX.  
I
I = 1.2 I  
I- III-IV  
II  
G
GT  
160  
dV/dt (2)  
V
V
67 %  
DRM  
V/µs  
=
gate open Tj = 125°C  
Tj = 125°C  
D
MIN.  
MIN.  
500  
10  
(dI/dt)c (2) Without snubber  
A/ms  
P1  
©2008 SIRECTIFIER All rights reserved,  
Tel: +86-519-86800000 Fax: +86-519-88019019 E-mail: sales@sirectifier.com  
www.sirectifier.com  
1234

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