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Datasheet > 触发装置 > TRIAC> BTB10-600CW
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BTB10-600CW

更新时间： 2024-09-05 22:39:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可控硅三端双向交流开关
页数 文件大小 规格书
6页 62K
描述
10A TRIACS

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BTB10-600CW 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.76
外壳连接：MAIN TERMINAL 2配置：SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值：5.5 V/us关态电压最小值的临界上升速率：250 V/us
最大直流栅极触发电流：35 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：35 mAJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：10 A
重复峰值关态漏电流最大值：10 µA断态重复峰值电压：600 V
子类别：TRIACs表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SNUBBERLESS TRIACBase Number Matches：1

BTB10-600CW 数据手册

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BTA/BTB10 Series  
®
SNUBBERLESS™ & STANDARD  
10A TRIACS  
MAIN FEATURES:  
A2  
Symbol  
Value  
Unit  
A
G
I
10  
T(RMS)  
A1  
V
/V  
600 and 800  
25 to 50  
V
DRM RRM  
A2  
I
mA  
GT (Q )  
1
DESCRIPTION  
A1  
A2  
A1  
A2  
G
Available either in standard or snubberless  
version, the BTA/BTB10 triac series is suitable for  
general purpose AC switching. They can be used  
as an ON/OFF function in applications such as  
static relays, heating regulation, induction motor  
starting circuits... or for phase control operation in  
light dimmers, motor speed controllers, ...  
The snubberless version (W suffix) is specially  
recommended for use on inductive loads, thanks  
to their high commutation performances.  
G
TO-220AB Insulated  
(BTA10)  
TO-220AB  
(BTB10)  
By using an internal ceramic pad, the BTA series  
provides voltage insulated tab (rated at 2500 V  
RMS) complying with UL standards (File ref.:  
E81734).  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
I
RMS on-state current  
(full sine wave)  
TO-220AB  
Tc = 105°C  
A
T(RMS)  
10  
TO-220AB Ins.  
F = 60 Hz  
Tc = 95°C  
t = 16.7 ms  
t = 20 ms  
I
Non repetitive surge peak on-state  
current (full cycle, Tj initial = 25°C)  
105  
100  
A
TSM  
F = 50 Hz  
²
²
²
tp = 10 ms  
55  
A s  
I t  
I t Value for fusing  
Critical rate of rise of on-state current  
dI/dt  
F = 120 Hz  
Tj = 125°C  
Tj = 25°C  
50  
A/µs  
V
I
= 2 x I , tr ≤ 100 ns  
G
GT  
V
/V  
Non repetitive surge peak off-state  
voltage  
DRM RRM  
V
/V  
tp = 10 ms  
tp = 20 µs  
DSM RSM  
+ 100  
I
Peak gate current  
Tj = 125°C  
Tj = 125°C  
4
A
GM  
P
Average gate power dissipation  
1
W
G(AV)  
T
Storage junction temperature range  
Operating junction temperature range  
- 40 to + 150  
- 40 to + 125  
stg  
°C  
T
j
April 2002 - Ed: 5A  
1/6  
123456

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